Özgeçmiş

Adı ve Soyadı: Mehmet Çakmak

Doğum Tarihi: 1969

Doğum yeri: Samsun

Akademi Ünvanı: Prof. Dr.

Medeni Durumu: Evli

Adres Bilgileri:

İş Adresi: Fizik Bölümü, Fen Ede. Fak., Gazi Universitesi 06500 ANKARA

Tel: 312 202 1248; Lab: 312 202 1279

Fax: 312 212 2279

E-mail:cakmak@gazi.edu.tr

 

Eğitim Durumu:

BSc (ODTÜ, Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü) Ankara 1988-92.

Msc (Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü) Ankara 1993-95

PhD (Exeter Üniversitesi Fizik Bölümü, İngiltere) Exeter 1995-99

Yabancı Dil:

İngilizce

Bilgisayar Bilgisi:

LINUX, Fluent in Microsoft Office Suite, Fortran, Internet Uygulamaları

Akademik Deneyimi:

Ocak 2008-…

Prof. Dr..; Gazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Ankara.

Temmuz 2003-Ocak 2008

Doç. Dr.; Gazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Ankara.

Temmuz 2002-Temmuz 2003

Post-Doc.; IKS, KU Leuven, Fizik Bölümü, Leuven, Belçika.

Kasım 2001-Temmuz 2002

Doç. Dr.; Gazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Ankara.

Şubat 2001-Kasım 2001

Yrd. Doç. Dr.; Gazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Ankara.

Ekim 1999-Şubat 2001

Araş. Gör. Dr.; Gazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Ankara.

Mart 1999-Eylül 1999

Araştırmacı; Fizik Bölümü, Exeter Üniversitesi, İngiltere.

Ekim 1995-Mart 1999

PhD ögrencisi; Fizik Bölümü, Exeter Üniversitesi, İngiltere.

Şubat 1993 Ekim 1995

Araş. Gör. Gazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Ankara.

 

Hakemlik Ettiği Dergiler:

Journal of Applied Physics, American Physical Societies, USA.

Physical Review Letter and B, American Physical Societies, USA.

 

Verdiği Dersler ve çalıştığı projeler:

Dersler:

Genel Fizik; Katıhal Fiziği; Fizikte Bilgisayarlı Uygulamalar; Yarıiletken Yüzey Fiziği.

Projeler:

DPT: (1) Yardımcı araştırmacı:“Tabakalı InGaAs/GaAs, AlGaAs/GaAs ve InGaN/GaAs yarıiletken ince filmlerin geliştirilmesi ve fiziksel ölçümlerin belirlenmesi“. (2003K120470-15) (2003-2005).

(2)Yardımcı araştırmacı:“İleri araştırma ve eğitim projesi“. (2001K120590) (2001-2006).

TÜBİTAK: (1) Yardımcı araştırmacı:“Bazı yarıiletken yüzeylerin ab initio elektronik band yapısı hesabı“(TBAG-1950-100T073) (2000-2003).

                                       (2) Yardımcı araştırmacı: ”Titanya destekli nanoyapıların ve yüzeylerin yapısal ve elektronik özellikleri”(TBAG-…)(2007-2010).

Araştırma Alanları:

Yarıiletken yüzeylerinin atomik, elektronik ve kimyasal bağ yapıları;

Yüzey karakterizasyonu, STM/AFM;

Akademik Çalışmalar:

Yaptığı Tezler:

MSc: “Bazı kristallerin ısıl ve elastik özelliklerinin sıcaklık ve basınç bağımlılığının moleküler dinamik hesaplaması”, Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü (1995).

PhD: “Theoretical studies of structural and electronic properties of overlayers on semiconductor surfaces”, School of Physics, Exeter Universitesi-İngiltere (1999).

Yönetiminde Biten Tezler:

Demet Usanmaz; “STM/AFM ile yüzey karakterizasyonu”, YL, FBE-2005, ANKARA.

Burcu Yıldırım; “Al0.52Ga0.48N schottky fotodetektor yapının optiksel ve yüzeysel özellikleri”, YL, FBE-2007, ANKARA.

Gökhan Demirel; “Si(100) yüzeyler üzerine kendiliğinden düzenlenen akıllı biyolojik aktiviteye sahip tekli ve çoklu tabakaların deneysel ve teorik dizaynı”, PhD, FBE-2006. Süleyman Çörekçi; “Grup III-V Yarıiletkenlerde Büyütme ve STM/AFM Yüzey Karakterizasyonu”, PhD, FBE-2008.

Yönetiminde Devam Eden Tezler:

Doktora tezleri

Zeki Tekeli; “III-V Yarıiletken yüzeylerinde pürüzlülük ölçümleri: STM/AFM”. (Tez Yazım Aşaması).

Demet Usanmaz; “III-V grubu yarıiletkenlerin teorik modellemesi ve AFM/STM analizi”. (Tez aşaması).

Sibel Özkaya; “Bazı III-V grubu yarıiletkenlerin optiksel ve yapısal analizi”. (Tez Aşaması).

Mahmut Mert Dayanır; “Karbon ve BN-nanotüplerinin atomik ve elektronik yapısı”. (Ders Aşaması).

Gökçen Birlik; “Si(100) yüzeyi üzerine ışığa duyarlı moleküllerin deneysel ve teorik dizaynı”. (Tez Aşaması).

 

 

Son Çalışmalar:

49. M. Çakmak, S. Cottenier and M. Rots, “Co on H-passivated Si(001): Density-functional calculations”. Phys. Rev. B. (Hazırlanıyor).

48. Z. Tekeli, S. Çörekçi, M. Çakmak, S. Özçelik, Y. Dinç, O. Zeybek, and E. Özbay, ”Morphological properties of AlxGa1-xN heterostructures dependent on annealing treatments by use of atomic force microscopy”, Phys. Rev. B (Gönderildi).(2007).

47. G. B. Demirel, M. Çakmak, and T. Çaykara, “Adsorption of 4-bromostyrene on the Si(001)-(1x2) surface”, J. Cond. Phys., (Gönderildi).(2007).

46. M. Evecen and M. Çakmak, “Adsorption of S, O, and H on NiAl(001)-(2x2)”, Surf. Sci. (Gönderildi).(2007).

45. D. Usanmaz, M. Çakmak, and Ş. Ellialtıoğlu, “Atomic and electronic structures of Bi/GaAs(001)-a2(2x4)”, J. of Cond. Phys. (Gönderildi).(2007).

 

SCI dergilerde yayınlanmış Çalışmalar:

 

44.  S. Özkaya, M. Çakmak, and B. Alkan, “Tl/Si(111)-()R30o”, Surf. Sci. (kabul edildi).(2008).

43. S. Özkaya, M. Çakmak, and B. Alkan, “Atomic and electronic structures of the group-IV elements on the Si(111)-() surface”, J. of Cond. Phys. (kabul edildi).(2008).

42. G. Demirel, T. Çaykara, B. Akaoğlu, and  M. Çakmak, “Construction of a novel multilayer system and its us efor oriented immobilization of immunoglobulin G”, Surf. Sci. 601, 4563 (2007).

41. Z. Tekeli, Ş. Altındal, M. Çakmak, S. Özçelik, D. Çalışkan, and E. Özbay, “On the intersection behaviour of I-V-T characteristics of inhomogeneous (Ni/Au)-Al0.3Ga0.7N/GaN heterostructures at high temperatures”, J. of Appl. Phys. 102, 054510 (2007).

40. G. Demirel, M. Çakmak, T. Çaykara, and Ş. Ellialtıoğlu, “Atomic and electronic structures of 3-Aminopropyltrimethoxysilane on Si(001)-2x2”. J. Chem. Phys. C., 111(41); 15020 (2007).

39. S. Çörekçi, M. K. Öztürk, B. Akaoğlu, M. Çakmak, S. Özçelik and E. Özbay, “The Effect of AlN Interlayer on Structural and Optical Properties of AlxGa1-xN/GaN-HEMT Structures”, J. of Appl. Phys. 101, 123502 (2007).

38. S. Korçak, M. K. Öztürk, S. Çörekçi, B. Akaoğlu, H. Yu, M. Çakmak, S. Sağlam, S. Özçelik, and E. Özbay, “Structural and optical properties of an InxGa1-xN/GaN Nanostruture”, Surf. Sci. (Kabul edildi). 601, 3892 (2007).

37. E. Mete, D. Üner, M. Çakmak, O. Gülseren, and Ş. Ellialtıoğlu, “Effect of molecular and electronic structure on the light harvesting properties of dye sensitizers”, J. Phys. Chem. C, 111(20), 7539 (2007).

36. N. Paul, S. Filimonov, V. Cherepanov, M. Çakmak, and B. Voigtlander, “Identification of Ge/Si intermixing processes at the Bi/Ge/Si(111) surface”, Phys. Rev. Lett. 98, 166104 (2007).

35. G. Demirel, M. Çakmak, and T. Çaykara, “Binding Formations of 12-Hydroxydodecanoic Acid on Si(001)-(2x2)”, J. of Phys. Chem. C, 111(11), 4375 (2007).

34. M. Çakmak, Z. Ayduğan, and B. Alkan, “Effect of Hydrogenation on P/Si(001)-1x2”, Surf. Sci. 601, 1489 (2007).

33. G. Demirel, G. Gökçen, M. Çakmak, T. Çaykara, and Ş. Ellialtıoğlu, “An ab initio study of 3-aminopropyltrimethoxysilane molecule on the Si(111)- surface”, Surf. Sci. 601, 3760 (2007).

32. G. Gökçen, G. Demirel, M. Çakmak, and T. Çaykara “Chemisorption  of 4-(4-Amino-Phenylazo) benzoic acid molecule on the Si(001)-(4x2) surface”, Surf. Sci. 601, 3711 (2007).

31. M. Çakmak, E. Mete, and Ş. Ellialtıoğlu, “Effect of Hydrogenation on B/Si(001)-1x2”, Surf. Sci. 601, 3711 (2007).

30. S. Çörekçi, D. Usanmaz, Z. Tekeli, M. Çakmak, S. Özçelik and E. Özbay, “Surface Morphology of Al0.3Ga0.7N/Al2O3-HEMT Structure”, J. of Nanoscience and Nanotechnology. (Kabul edildi).(2007)

29. M. Çakmak, E. Mete and Ş. Ellialtioğlu, “Atomic and electronic structure of Sr/Si(001)-(2×2)”, Surf. Sci. 600, 3614 (2006).

28. J. I. Flege, T. Schmidt, J. Batjer, M. Çakmak, G. Materlik and J. Falta, “Desorption site-specificity and halogen minority sites on Si(111)”, New. J. Phys. 7, 208 (2005).

27. S. Cottenier, V. Vanhoof, D. Torumba, V. Bellini, M. Çakmak, and M. Rots, “Ab initio Calculation of Hyperfine Interaction Parameters: Recent Evolutions, Recent Examples”, Hyperfine Interactions (2005).

26. S. Cottenier, V. Bellini, M. Çakmak, F. Manghi, and M. Rots, “Coordination dependence of hyperfine interaction at impurities on fcc metal surfaces. I. Electric-field gradient”, Phys. Rev. B 155418 (2004).

25. V. Bellini, S. Cottenier, M. Çakmak, F. Manghi and M. Rots, “Coordination dependence of hyperfine interaction at impurities on fcc metal surfaces. II. Magnetic hyperfine field”, Phys. Rev. B 155419 (2004).

24. M. Çakmak and G.P. Srivastava, “Ab initio study of the adsorption of In on the Ge(001) surface”, Surf. Sci. 566, 931 (2004).

23. M. Çakmak, G.P. Srivastava and Ş. Ellialtioglu, “An ab initio study of the Te surfactant on Ge/Si(001)”, Surf. Sci. 566, 719 (2004).

22. R. Shaltaf, M. Çakmak, E. Mete, G.P. Srivastava and Ş. Ellialtioglu, “Ab initio study of the one-monolayer Sb/Ge(001) interface”, Surf. Sci. 566, 956 (2004).

21. M. Çakmak and G. P. Srivastava, “Theoretical study of dangling-bond wires on the H-terminated Si surface”, Surf. Sci. 532, 556 (2003).

20. M. Çakmak, R. Shaltaf, G. P. Srivastava, and Ş. Ellialtioglu, “Ab initio study of the one-monolayer Sb/Si(001) interface”, Surf. Sci. 532, 661 (2003).

19. M. Çakmak, Ş. Ellialtioglu, and G. P. Srivastava “Adsorption of Te on Ge(001): Density-functional calculations”, Phys. Rev. B 67, 205314 (2003).

18. M. Çakmak and G. P. Srivastava, “Adsorption of GeH2 on the bare and hydrogenated Ge(001) surfaces”, Vacuum 67 (1), 21-25 (2002).

17. Y. Çiftci, M. Çakmak, G. P. Srivastava, “Ab initio study of the adsorption of In on the Si(001)-(2x2) surface”, Surf. Sci. 507, 23 (2002).

16. M. Çakmak, G. P. Srivastava, Ş. Ellialtioglu and K. Çolakoglu, “Ab initio study of the adsorption and desorption of Se on the Si(001) surface”, Surf. Sci. 507, 29 (2002).

15. M. M. Bülbül, M. Çakmak, G.P. Srivastava and K. Çolakoglu, “Segregation and non-segregation of Ge for H(Cl):Si(001)/Ge(2x1) and H(Cl):Si(001)/Ge(3x1)”, Surf. Sci. 507, 255 (2002).

14. M. Çakmak and G. P. Srivastava, “Adsorption of GeH2 on the Si(001) surface”, Surf. Sci.482, 26 (2001).

13. M. M. Bülbül, M. Çakmak, G.P. Srivastava and K. Çolakoğlu, “Effect of hydrogenation on the adsorption of Ge on Si(001)”, Phys. Rev. B 64, 155318 (2001).

12. M. Çakmak and G.P. Srivastava, “Dissociative adsorption of Si2H6 on the Si(001) surface”, Phys. Rev. B 61, 10216 (2000).

11. S.C.A. Gay, M. Çakmak and G.P. Srivastava, “Comparative study of Bi overlayers on the III-Sb(110)-(1x1) surfaces”, Surf. Sci. 454, 26 (2000).

10. M. Çakmak, S.C.A. Gay and G.P. Srivastava, “Structure and energetics of segregated and nonsegregated H:Ge(001)/Si and Cl:Ge(001)/Si“, Surf. Sci. 454, 166 (2000).

9. M. Çakmak and G.P. Srivastava, “Adsorption of partially and fully dissociated H2S molecule on the Si(001) and Ge(001) surfaces”, Phys. Rev. B 60, 5497 (1999).

8. M. Çakmak and G.P. Srivastava, “Ab initio study of the adsorption of H2S onto the Si(001) surface”, Sur. Sci. 433, 420 (1999).

7. M. Çakmak and G.P. Srivastava, “Adsorption and desorption of S on and off Si(001) studied by Ab initio Density Functional Theory”, J. Appl. Phys. 84, 6070 (1998).

6. M. Çakmak and G.P. Srivastava, “Ab initio study of atomic geometry, electronic states and bonding for H2S-adsorption on III-V(110)-(1x1) surfaces”, Phys. Rev. B 57, 4486 (1998).

5. M. Çakmak and G.P. Srivastava, “Theoretical study of the GaAs(110)-(1x1)-H2S surface”, Sur. Sci. 404, 658 (1998).

4. M. Çakmak and G.P. Srivastava, “An ab initio calculation of the adsorption of H2S onto InP(110)-(1x1) surface”, Appl. Sur. Sci. 123/124, 52 (1998).

3. H. M. Tütüncü, M. Çakmak and G.P. Srivastava, “Structural, electronic and vibrational properties of the InSb(110) surface”, Appl. Sur. Sci. 123/124, 146 (1998).

2. M. Çakmak and G.P. Srivastava, “Calculation of atomic geometry, electronic states and bonding for the S-deposited InP(110) surface”, Phys. Rev. B 56, 1928 (1997).

1. M. Çakmak and G.P. Srivastava, “A theoretical study of sulphur adsorption on InP(110)”, Sur. Sci. 377, 592 (1997).

Ulusal dergilerde yayınlanmış Çalışmalar:

1. K. Çolakoğlu, G. Ugur, M. Çakmak, H. M. Tütüncü, “The Lattice Dynamics of g- iron”, Tr. J. of Physics 23, 479 (1999).

Uluslar arası dergilerde yayınlanmış Çalışmalar:

1. Y. Öztekin, K. Çolakoğlu and M. Çakmak, “The lattice dynamics and some elastic properties of fcc and bcc lanthanum”, Proc. Suppl. BPL 5, 466(1997).

                Konferanslar:

                               Sözlü Sunumlar

  1. 14th International Vacuum Congress (IVC-14), Birmingham-U.K., 1998, (Oral Presentation)
  2. Invited seminar, Julich-Almanya 2007.

                               Poster Sunumlar

13. IVC-17, ICSS-13, Stockholm-İsveç, July-2; July 7, 2007, (Poster Presentation).

12. 24th European conference on Surface Science (ECOSS-22), Paris, September 2006, (Poster Presentation).

11. 23rd European conference on Surface Science (ECOSS-22), Berlin, September 2005, (Poster Presentation).

10. IVC-16, ICSS-12, NANO-8, AIV-7, Venice-Italy, June 28-July 2, 2004, (Poster Presentation).

9. 22nd European conference on Surface Science (ECOSS-22), Prag, September 2003, (Poster Presentation).

8. International Scientific Meeting, Ghent University, 27-28 May 2003, Ghent, Belgium, (Poster Presentation).

7. 21th European conference on Surface Science (ECOSS-21), Malmö-Sweden, June 2002, (Poster Presentation).

6. 20th European conference on Surface Science (ECOSS-20), Krakow-Poland, September 2001, (Poster Presentation).

5. 17th European conference on Surface Science (ECOSS-17), Enschede-The Netherlands, 1997, (Poster Presentation).

4. Sixth International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-6), Cardiff-U.K., 1997, (Poster Presentation).

3. Condensed Matter and Materials Physics Conference (CMMP 97), Exeter-U.K., 1997, (Poster Presentation).

2. 16th European Conference on Surface Science (ECOSS-16), Genova-Italy, 1996, (Poster Presentation).

1. Condensed Matter and Materials Physics Conference (CMMP 96), York-U.K., 1996, (Poster Presentation).

Please take a look our lab facilities

Son günceleme 21 Ocak 2008